衬偏效应

MOSFET的工作是通过在半导体表面产生导电沟道——表面反型层来进行的，因此器件中存在一个由栅极电压所诱生出来的p-n结——场感应结。一旦出现了沟道，则沟道以内的耗尽层厚度即达到最大，并保持不再变化（不随栅极电压而变化）。