基区渡越时间
jī qū dù yuè shí jiān · ㄐㄧ ㄑㄩ ㄉㄨˋ ㄩㄝˋ ㄕˊ ㄐㄧㄢ
- 字母
- ji qu du yue shi jian
- 首字母
- jqdysj
- 注音符号
- ㄐㄧ ㄑㄩ ㄉㄨ ㄩㄝ ㄕ ㄐㄧㄢ
- 注音首符
- ㄐㄑㄉㄩㄕㄐ
对于双极型晶体管，少数载流子渡越中性基区的时间τB即称为基区渡越时间；它与基区宽度W直接有关：因为 In = Aqnp(x)v(x)，dx = v(x) dt， 则得到 τB = ∫o [1/v(x)] dx = ∫o [Aqnp(x)/In]dx ≈ QB / IC 。 对均匀基区晶体管τB = W/ ( 2 Dn )；对缓变基区晶体管τB = W / (ηDn)，η> 2。对于基区较宽、特征频率fT不是很高的晶体管，τB往往是决定晶体管频率特性的主要因素，这时为了提高频率性能，就应当减小基区宽度（可采用浅结工艺来制作薄的基区）和增大电场因子η（可增加基...